三星电子3纳米制程技术已正式流片三星电子日前宣布，3纳米制程技术已经正式流片，据悉，三星电子的3纳米制程采用的是环绕式栅极，gate，all，around，GAA，晶体管架构，性能优于台积电的3纳米鳍式场效应晶体管，FinFET，架构，三星电子表示，因为GAA架构需要一套不同于台积电和英特尔使用的FinFET架构的设计和鉴定工具，该公...。